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KAIST IP 控告三星和高通侵犯專利,違反專利法

日期:2019-03-15 來源:天天IP 作者: 瀏覽量:
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KAIST IP是韓國高等科學技術研究院(KAIST)的子公司,負責管理屬于該國最高科學研究型大學的知識產權(IP)。 


據報道,近日,KAIST IP已向美國三星電子和高通公司提起專利侵權訴訟,聲稱這些公司違反了該大學與關鍵半導體技術相關的專利。 


KAIST IP在其書面指控中聲稱,盡管去年法院作出裁決,但被告并未停止侵犯該大學的專利,并表示他們繼續利用FinFET技術開發和商業化新產品。 


FinFET是三維晶體管結構,有助于更穩定和有效地發送電流。該技術是在2000年初與KAIST和Lee Jong-ho教授合作開發的,他是Wonkwang大學的主要研究人員之一。 Lee現在是首爾國立大學的教授。 


據報導指,這訴訟是在今年2月14日提交法院,認為三星和高通在侵犯其半導體專利之余,三星更把其技術應用在包括智能手機等產品中,進一步違反專利法。


這次訴訟是在 2016 年 KAIST IP 一次類似訴訟的后續。2016年12月,KAIST IP向美國德州聯邦地方法院提起專利侵權訴訟,控告三星、高通以及格芯盜用技術專利,要求支付專利使用費,而下一波訴訟對象將是臺積電。


“FinFET”技術被認為是目前高性能手機中重要的核心技術之一,且已經被多家企業用在自家產品上。KAIST IP主張,三星及格芯擅用了該公司的“FinFET”專利技術,臺積電也以其為基礎制造手機芯片并推出產品,高通更一直從三星和格芯那里得到相關產品的供應。《韓國先驅報》報導,KAIST已經計劃在搜集證據后,向臺積電提起訴訟。


這次 KAIST IP 指責三星等公司在去年案件審結后仍然沒有停止侵犯技術專利的行為,三星電子在包含Galaxy系列在內的10多款手機型號都使用了FinFET。三星則回應指,他們在產品中使用的技術與 KAIST 專利中的不同,將會在法庭詳細解釋。而消息人士預計,如果三星再次敗訴,賠償將會比去年的官司更多。

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